第三代半导体材料迎来最强爆发风口(2)
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【摘 要】:与硅衬底相比,碳化硅衬底具有更好的导热特性。目前,业界95%以上的GaN射频器件使用SiC衬底。例如,Qorvo 使用基于 SiC 衬底的工艺。 GaN基器件可以在8英
与硅衬底相比,碳化硅衬底具有更好的导热特性。目前,业界95%以上的GaN射频器件使用SiC衬底。例如,Qorvo 使用基于 SiC 衬底的工艺。 GaN基器件可以在8英寸晶圆上制造,具有成本优势。
在功率半导体领域,SiC衬底和GanonSilicon只在小部分领域竞争。 GaN市场多在低压领域,而SiC则用在高压领域。它们的边界约为 600V。
目前大部分集成电路采用硅材料,具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。但摩尔定律逐渐遇到瓶颈。除了更高集成度的发展方向,通过不同的材料在模拟IC上实现更好的性能也是发展方向之一。
同时,随着5G、新能源汽车等产业的发展,高频、大功率、高压半导体的需求难以完全满足硅基半导体的材料特性.以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展机遇。
文章来源:《电子元件与材料》 网址: http://www.dzyjyclzz.cn/zonghexinwen/2021/0714/723.html