微电子元器件 金相制备指南(2)
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【摘 要】:办法: 缩短抛光时间,如需要长时间抛光去划痕,则采用中心加载制备方法,可有效减小硬度差异造成的浮凸,另缩短氧化物终抛的时间。 抛光过程因硬
办法:缩短抛光时间,如需要长时间抛光去划痕,则采用中心加载制备方法,可有效减小硬度差异造成的浮凸,另缩短氧化物终抛的时间。
组织赏析赏析1-电容电极100X
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抛光过程因硬度差异造成的浮凸 照片
无浮凸 照片
磨抛步骤:
以上推荐参数取自:自动磨抛机Smoothneer-6 上Ф250 mm 工作盘的Ф30 mm 的微电子元器件制备方法。
组织赏析赏析1-电容电极100X
赏析3-铜层厚度100X
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文章来源:《电子元件与材料》 网址: http://www.dzyjyclzz.cn/zonghexinwen/2021/0428/629.html